反应离子腐蚀(RIE)特别适用于多层金属化结构的失效分析 , 具有较低的制样风险,实现芯片表面和内部的可观察性和可探测性 型号:Samco RIE-10NR
技术参数:
1.工艺气体:CF4、Ar、O2; 2.去除包括氮化硅、二氧化硅; 3.最大功率300W。 4.最大可处理8英寸晶圆。 5.可达到高蚀刻选择比和非等向性蚀刻; 6.可自由切换全自动和全手动操作模式;
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