可以用来对功率MOSFET和IGBT的耐用性测试。 型号：ITC 55100C
技术参数：
1.电流范围：0.1A~200A，0.1A设置精度； 2.雪崩电压：最大至2500V； 3.时钟精度：40ns； 4.测试模式：单脉冲松开电感的开关（UIS）/单脉冲雪崩应力（EAS）/重复性雪崩能量（EAR）/重复脉冲故障（RPF）; 5.单路/双路测试; 6.N沟道/P沟道/混合测试； 7.内部测试程序存储（20个文件）; 8.波形捕获/显示; 9.全固态切换 - 无需继电器。
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